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NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes
in SOT23 package
Product data sheet
PESDxS2UAT series
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R diff
differential resistance
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 0.5 mA
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
400
80
200
225
300
?
?
?
?
?
Notes
1. Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform; see Fig.2.
2. Measured either across pins 1 and 3 or pins 2 and 3.
GRAPHICAL DATA
10 4
P pp
(W)
10 3
001aaa147
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
10 2
(2)
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
(1) PESD3V3S2UAT and PESD5V0S2UAT.
(2) PESD12VS2UAT, PESD15VS2UAT, PESD24VS2UAT
T amb = 25 ° C.
t p = 8/20 μ s exponential decay waveform; see Fig.2.
Fig.5
Relative variation of peak pulse power as a
Fig.4
Peak pulse power dissipation as a function
function of junction temperature; typical
of pulse time; typical values.
2004 Feb 18
6
values.
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